文章来源: 科技生活快报

12月27日消息,据消息人士透露,位于合肥的长鑫存储公司(CXMT)正在LPDDR4X低功耗内存的研发上取得进展,它将吸引国产二线品牌在手机上采用。


合肥长鑫LPDDR4X新进展!国产二线品牌手机或优先采用-贤集网


长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。


根据此前消息,长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元,将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片,并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。


12月5日消息 根据长鑫储存官方的消息,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。 依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。


依据独立的专利采购协议,长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。据悉,长鑫存储的事业2016年在安徽合肥启动,专业从事DRAM 的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。


长鑫存储购得大量 DRAM 专利,国产DDR4内存明年上市


根据之前的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。


目前,长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。


2016年5月,长鑫存储技术有限公司于“创新之都”——安徽·合肥成立。长鑫存储汇聚了来自全球不同文化背景的行业尖端人才,未来,他们独具匠心的灵感与创意,将化为产品推向市场。长鑫存储致力于成为全球领先的半导体IDM企业,不断引进先进的半导体设施,并研发行业顶尖技术。长鑫存储将以无限的潜力与激情,不断探索创新,构建行业新未来。合肥市作为安徽省的省会城市,现辖四县(肥东、肥西、长丰、庐江)、一市(县级巢湖市)、四区(瑶海、庐阳、蜀山、包河),并拥有四大开发区(合肥经济技术开发区、合肥高新技术产业开发区、合肥新站高新技术产业开发区、合肥巢湖经济开发区)。


合肥是现代制造业基地和综合交通枢纽城市,是长三角城市群副中心,是国家重要的科研教育基地,也是中国唯一的科技创新型试点市。同时合肥作为世界科技城市联盟会员城市,依靠三大支柱型高新技术产业:量子信息、人工智能和可控核聚变,合肥将有望弯道超车,成为具有国际影响力的创新之都。


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